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【世界之最/世界之最/全球最小的SRAM晶片單元】

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發表於 2013-1-1 10:10:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

世界之最/世界之最/全球最小的SRAM晶片單元

 

【標題】:全球最小的SRAM晶片單元

 

【內容】:英代爾公司的研究人員宣佈製造出全球最小的SRAM(StaticRandomAccessMemory--靜態隨機存儲晶片)存儲晶片單元,尺寸僅為1平方微米。

 

這些單元是存儲晶片的基本模組,它們是使用英代爾下一代0.09微米(90納米)工藝製造的全功能SRAM設備的一部分。

 

這一成果對於在2003年採用新型製造工藝具有里程碑式的意義。

 

英代爾高級副總裁兼生產製造事業部總經理SunlinChou先生說:"英特爾新型的一平方微米SRAM單元為矽技術確立新的密度標準。

 

這一結果使我們在微處理器和其他產品的0.09微米製造工藝方面居於領先地位。"

 

通過使用新型0.09微米製造工藝,英代爾保持了每兩年推出一代新工藝的記錄。

 

公司將使用這一工藝生產許多其他產品,包括處理器、晶片組和通信產品。

 

英代爾計畫只將0.09微米工藝應用在300毫米(12英寸)晶圓上。

 

全球最小的SRAM晶片單元英代爾研究人員製造出的52Mb存儲晶片(能夠存儲5200萬獨立比特的資訊),在僅為109平方毫米的晶片上集成有3.3億顆電晶體--比一個一角美元硬幣還小。

 

這是迄今為止報導過的容量最大的SRAM。

 

這些晶片在英代爾位於俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發工廠(D1C)製造,配合使用先進的193納米和248納米液相工具。

 

製造SRAM晶片是業界常用的測試下一代邏輯製造工藝的方式。

 

存儲單元的尺寸大小非常重要,因為這使得英代爾可以通過添加更多的片上緩存,增加整體邏輯密度,經濟有效地提升微處理器性能。

 

成功生產SRAM同時顯示了使用0.09微米工藝生產微處理器時所需要的全部特性都已經成熟,其中包括高性能電晶體及高速銅線互連。

 

【序號】:2408

 

引用:http://tw.18dao.net/%E4%B8%96%E7 ... 7%E5%96%AE%E5%85%83

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