【XP 抓不到 4G記憶體，記憶體是否越多越好?】

方格

【XP 抓不到 4G記憶體，記憶體是否越多越好?】

 

原始問題：

Q.

我的主機板上安裝了4GB記憶體. 但卻只能認到約3.1GB或更少. 我朋友的SLI主機板認到甚至少於3GB. 怎麼辦?

 

我該如何做才能認到4GB記憶體?

華碩回覆：

如果你安裝了總共4GB記憶體, 系統會認到少於4GB (或甚至3GB) 的記憶體. 因為定址空間分配給其他重要的功能, 例如,

- 系統 BIOS (包含主機板, 外加擴充卡, 等..)

- 主機板資源

- 記憶體對應 I/O

- AGP/PCI-Ex/PCI的設定

- 其它PCI裝置的記憶體

 

主機板內建的裝置不同, 和外加擴充卡(裝置)不同, 所得到的全部記憶體大小也會不同.

例如. 安裝更多的PCI卡, 就需要更多的記憶體, 所得到的全部記憶體也會變少.

 

在 SLI系統, 因為一張 PCI-Ex 顯示卡會佔用約 256MB, 安裝第二張 PCI-Ex 顯示卡會佔用另外的 256MB. 因此如果沒有其他外加擴充卡, 一張SLI顯示卡安裝在A8N-SLI Premium上會只剩約3.0GB記憶體, 兩張SLI顯示卡安裝在A8N-SLI Premium上會只剩約2.75GB記憶體.

 

這個限制是因為 Windows XP 32位元作業系統和多數的晶片組的關係

如果你安裝了Windows XP 32位元作業系統, 我們建議你安裝少於3GB記憶體. 如果你的系統需要超過3GB, 以下兩種狀況必須符合:

1. 需要有能支援memory swap (記憶體置換) 功能的記憶體控制器. 最新的晶片組, Intel 975X, 955X, Nvidia NF4 SLI Intel Edition, Nvidia NF4 SLI X16, 和 AMD K8 CPU 架構可以支援memory swap (記憶體置換) 功能.

2. Windows XP Pro X64 Ed. (64-bit) 或其他作業系統可以定址超過4GB記憶體.

 

XP 64位元作業系統才有支援辨識4GB的記憶體

VISTA的版本

32 位元:

Windows Vista Home Basic、Home Premium、Business、Enterprise 和 Ultimate 皆為 4GB。

64位元:

Windows Vista Home Basic : 8GB

Windows Vista Home Premium : 16GB

Windows Vista Business、Enterprise 和 Ultimate : 128GB

 

要使用辨識4G以上記憶體，除了需安裝64位元系統之外，在BIOS中也必須修改北橋選項的設定，[主機板有才行]

在Memory Remap功能選項需要設為開啟，這樣子你的64位元系統就可以正常辨識4G以上記憶體了。

 

 

記憶體越大越好？

 

大記憶體3大隱患

記憶體價格的回落使得不少朋友在裝機時配置了512MB甚至1GB的大容量記憶體，大容量記憶體可以讓程式運行更穩定，資料傳輸更迅速，但很多朋友在使用大容量記憶體時卻遇到了種種問題。

 

現將常見情況總結如下：

一、作業系統不支援

雖然進入P4時代以後的主板均支持1GB以上的大容量記憶體，但是Windows 98/Me等作業系統對於大容量記憶體的支援卻存在一些問題。

 

體現在使用512MB甚至更大容量的記憶體時，系統會提示記憶體不足，或在系統啟動時停止回 應，即使能夠進入系統也會出現播放視頻影音檔時無聲、不能正常使用MS-DOS模式等情況！
　　

原因在於Windows 95/98（SE）/Me等版本較低的作業系統的記憶體管理模式存在問題。

 

Windows 32位元保護模式緩存驅動程式（Vcache）會根據Windows啟動時所存在的實體記憶體數量來確定最大緩存的大小。

 

然後，Vcache會留出足夠的 記憶體位址，以允許它訪問最大容量的緩存。

 

這樣，如果需要，它就可以將緩存增加至該大小。

 

在具有大量實體記憶體的電腦中，最大緩存的大小可能會足夠大，以 致Vcache佔用系統實存塊中的所有位址，而不為其他功能（例如，新建虛擬機時要打開MS-DOS提示符）留出可用的虛擬記憶體地址。

 

結果導致了問題的 出現。

 

解決方法是修改Windows檔夾下的System.ini檔，找到[vcache]專案，添加以下內容：

[vcache]

MinFileCache=1048576

MaxFileCache=1048576

保存退出即可使用大容量記憶體。

註：在Windows 2000以上作業系統中不存在此問題。

 

二、主板與記憶體不相容

一些主板與部分記憶體存在不相容問題，現象為無法正常同時使用兩條512MB記憶體，使用時不是運行程式出錯，就是在玩遊戲時自動退出，運行3DMark等測試軟體時也無法正常通過。

 

但是單插其中一條記憶體卻表現良好。

 

解決方法有以下幾種：

1.給記憶體加電壓。

 

進入BIOS中給記憶體加電壓來使之適應其他硬體的要求。

 

但需要注意的是，在記憶體規格中，DDR266和DDR333的標準工作 電壓是2.5V，而DDR400的標準工作電壓是2.6V，因此在加電壓時要參照標準加壓，不能超過太多（10%以內最為保險），否則容易引起系統不穩定 甚至導致記憶體毀壞。

2.調整記憶體參數至一致。

 

記憶體參數包括RAS Precharge Time（上次列定址結束到下次列定址開始的時間）、RAM Active Time（指是的當CPU從Bank 1尋找資料後又到Bank 2讀取資料，此時Bank1的休息時間），此外還包括RAS toCAS Delay、CAS Latency等參數。

 

其中RAS Precharge Time可設定為7或8、RAM Active Time則設為3或4、RAS toCAS Delay設為3或4、CAS Latency設為2.5或3。

 

當兩條記憶體不是相同品牌或同一品牌不同頻率時，可按照其中規格較低的記憶體參數進行設定。

 

三、老主板不支持

 

以前的主板中，有不少均不支援大容量記憶體，像Intel的810、815系列主板，最大只能使用512MB記憶體。

 

當實體記憶體容量超過512MB時就會出現無法正確識別的情況。

 

在這種情況下使用大容量記憶體只能限定在512MB以內了。

 

轉貼自tom

超過1 GB以上的RAM所帶來的頂級效能

另 外一項重要的效能依據是你所安裝的RAM數量。

 

執行影像和視訊的應用程式會因為更多的記憶體而顯著提昇效能。

 

由Content Creation Winstone測試的讀數已經證實，Windows 2000和XP將會因為系統的記憶體超過1 GB以上，整體的表現會大幅提昇。

 

而效能測試的結果顯示，系統效能強烈依賴記憶體的數量。

 

的確，對於快速的Windows XP系統來說，512 MB的RAM只能勉強達到最低標準。

 

回想過去使用Windows 98和Me的久遠年代，512 MB是主流系統所能安裝的最大記憶體數量。

 

你 所能安裝的最大RAM數量端視你所使用的主機板和晶片組而定。

 

在下面的「記憶體支援」表中，你可以找到更多的訊息。

 

但是，不論你安裝了多少記憶體，在 x86系統中所允許的最大記憶體數量為3.5 GB。

 

中央處理器沒有辦法定址超過數量的記憶體。超過的部分將會保留用為控制PCI迴路。

 
你應該盡可能不要安裝太多RAM模組。

 

降低模組上的晶片數目也可以增強效能和穩定度。一般來說，一個模組由8或16個晶片組成。

 

你 所使用的記憶體模組數目對於你的Command Rate將有直接的影響。

 

Command Rate直接要求記憶體控制器所需的時脈循環數目，以啟動模組和晶片組。

 

如果你將所有的記憶體插槽裝滿，一般來說，你將會把時脈循環從1個循環增加到2個 循環，以保持系統穩定。

 

很可惜的是，這樣做將會把效能降低最多3%。

 
如何在BIOS中調整你的RAM

主 機板的BIOS清單中提供了很多的設定，你可以用來將你的記憶體作最佳化。

 

這些設定可以用來調校RAM的功能，不過基本上，這些功能經常以不同的名稱出 現。

 

我們將會簡短的解釋這些設定選項。

 

在括弧中的是這個設定可以選用的值，理想值則是以底線標註。

 

我們也將不同BIOS版本，但是功能相同的選項名稱放在 一起。

 

不過請注意，並不是所有的BIOS清單都提供所有的設定選項。

Automatic Configuration「自動設定」（On/ Off）

（DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring）如果你要手動調整你的記憶體時序，你必須關閉這個讓電腦為你設定的功能。

Bank Interleaving（Off/ 2/ 4）

（Bank Interleave）DDR RAM的記憶體晶片是由4個Bank所組成。

 

經由Interleaving，同時對4個Bank作定址，可以將效能提升到最高。

Burst Length「爆發長度」（4/ 8）

這 個選項所決定的是，在一個傳輸循環中，要送出多少資料區塊。

 

理想上，在目前Pentium 4和超微Athlon XP的中央處理器的L2 Cache（L2 快取）上，一次傳輸會填入一個記憶體列。

 

一個記憶體列等於64位元，或者是說8個資料封包（Data Packet）。

CAS Latency tCL「行位址控制器延遲時間」（1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0）

 
（CAS Latency Time、CAS Timing Delay）從已經定址的行，到達輸出暫存器的資料所需的時脈循環數。

 

記憶體製造商將最佳的可能設定值以CL Rating的方式作列表。

Command Rate CMD（1/ 2）

（Command Rate、MA 1T/2T Select）以要求的資料區間來定址記憶體模組和記憶體晶片所需的時脈循環數。

 

如果你的記憶體插槽已經全部插滿，你必須將這個比值調整到2，不過這樣會使得效能明顯下降。

RAS Precharge Time tRP「列位址控制器預充電時間」（2/ 3）

（RAS Precharge、Precharge to active）對迴路作預充電所需的時脈循環數，以決定列位址。

RAS-to-CAS Delay tRCD「列位址至行位址延遲時間」（2/ 3/ 4/ 5）

（RAS to CAS Delay、Active to CMD）在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時脈循環數。將這個設定值設成2可以將效能提高最多4%。

Row Active Time tRAS「列動態時間」（5/ 6/ 7）

（Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay）當一個記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址所造成的延遲。

Memory Clock「記憶體時脈」（100/ 133/ 166/ 200 MHz）

（DRAM Clock）指定記憶體匯流排的時脈速度。

 

這個指定的比率與前級匯流排時脈有關。

 

DDR技術（雙資料率）可以經由實際的匯流排時脈速度把資料率加倍。

 

最重要的CL設定

 

在RAM時序中，最重要的就是CAS Latency（CL）、RAS-to-CAS Delay：tRCD 以及RAS Precharge Time（列位址控制器預充電時間）：tRP這三項參數。

 

許多記憶體模組都有規格設定，例如PC2700-2.0-2-2.0或是 PC3200-3.0-3-3.0。

 

在這些有點神秘的數字中，第一個數字是用來描述記憶體型式，後面的三個數字則是這個記憶體的時序。有些製造商則是只有 列出CAS Latency，像是CL 2.0或是CL 3.0。

 

由於這三個有關記憶體時序的參數相當重要，所以對消費者來說，看不到這些參數可以說是很不方便，因為每一項參數對於系統效能都有類似的影響。

 

如果你想要知道這個影響有多大，你可以看一下MPEG4-encoding的效能 測試。

 

我們在這篇文章的最後，就在標題「如何在BIOS之中調整你的RAM」之下，摘錄了有關最重要的時序參數設定值，以及一些簡短的解釋和提示。

 

如果你 找不到你的RAM品牌有關效能設定的資訊，你可以在網際網路上參考相關的技術資料（請參看「RAM製造商」）。

 

如果你想要對時序參數有更進一步的了解，你應該要學習所有關於存取記憶體的知識。

 

 「RAM時序」表可以給你一個概念，讓你了解它是怎麼運作的。當主機板晶片組中的控制器選擇了包含資料的記憶體模組時，一個讀取的程序開始作初始化。

 

控制 器指向模組中的控制晶片，以及晶片中所擁有的資料。

 

晶片的單元是以矩陣（Matrix）方式作排列，並形成行和列的位址。

 

每個交叉點代表了一個記憶體位元

 

進入矩陣之中

記憶體控制器首先送出單元的列位址，作為模組邏輯的定址使用。

 

經過一段時 間，tRCD（RAS-to-CAS Delay）之後，模組會將列的內容作暫存。在現代的RAM晶片上，這樣的程序將會花上兩個或三個時脈循環。

 

你甚至可以看到分數的循環，像2.5個時脈循 環（CL2.5），因為DDR RAM可以在時脈訊號的上升和下降的邊緣送出控制與資料的訊號，也就是每個時脈循環中送出兩次訊號。

 

當列的內容被送去暫存之後，控制器將會送出CAS訊號（行位址控制），以傳送記憶體單元中的行位址。

 

送出訊號所花的時間就等於tCL（CAS Latency），一直到選擇單元的內容送至記憶體晶片的輸出暫存器（Output Register）上。

在BIOS之中，你可以為時序tRCD和tCL設定使用的時脈循環數目。

 

這些設定值越小，電腦的效能就越好。只有最快的模組才有可能將CL設定為2.0甚至是1.5。

 

如果你所讀取的是相同記憶體列的鄰近資料，那麼決定存取速度的唯一因素就是CL時 序，因為控制器已經知道列的位址，不需要重新再搜尋一次。

 

不論何時，當控制器必須在一個RAM晶片中定址不同的列時，在列與列轉換的時候，所花的時間就是 tRAS（Row Active Time）。

 

這個時間tRAS是隨著tRP（RAS Precharge Time）而增加的，而tRP則是將迴路充電至較高電壓等級所花的時間。

 

從另外一方面來說，即使是快速的記憶體模組，整個過程所花的時間最少也要7個時脈 循環。

 

現在的DDR RAM晶片組被再次細部區分為4個部分（Banks），每個部份代表了一個分離的記憶體區。

 

Bank Interleaving則是允許不同晶片上的Banks的記憶體區可以同步定址，也因此增加了資料傳輸率。

 

當資料被一個記憶體Bank讀取時，另外一個 Bank可以定址一個新的資料區。

 

你可以在BIOS中特別設定晶片中可以同時定址多少RAM Banks。

 

最快的設定是「4」。

 

 

引用：http://tw.myblog.yahoo.com/jw!PkJEhSiBHxNBJ2r.zsTgwWYx/article?mid=4397