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標題: 【矽熔體中的反向】 [打印本頁]

作者: 江南布衣    時間: 2012-6-16 09:05
標題: 【矽熔體中的反向】
本帖最後由 江南布衣 於 2012-6-16 09:17 編輯

矽熔體中的反向

 

 

 

矽片


一個奇怪的財產矽可能導致更便宜的方式淨化這個最有用的電子材料。

 

這是研究人員根據美國麻省理工學院( MIT)的誰的觀察其效果矽熔融冷卻時-一個過程,結果在分離的芯片從它的一些雜質。

 

這種“逆行融化“已經發現以前在幾個其他材料,它可以產生一個以上的原因。

 

在案件矽片,這是麻省理工學院的史蒂夫Hudelson領導小組指出,從物質作用的結果變得飽和時被冷卻。

 

Hudelson的團隊能夠跟踪過程中的X射線熒光測量採取的先進光源( ALS)的勞倫斯伯克利國家實驗室在加利福尼亞州。

 

研究人員採取了樣本與矽故意污染痕跡銅,鎳,鐵,加熱到1000 ° C的物質- 超過400 ° C以下矽的熔點溫度。

 

然後,當他們冷卻該混合物低於900 ° C時,他們觀察的形成微小液滴內的組織,包括芯片和3個雜質。

 

由於小組繼續冷卻材料,雜質越來越脫離矽微滴內。

 

最終成為完全堅實的物質一旦再次跌破關鍵點被稱為它的“共晶溫度“ -約 700攝氏度

 

 

小吸塵器


該發現可能是有益的半導體製造行業中的一個大挑戰,是規管和矽的混合物及其雜質。

 

“如果你能創建一個小液滴內的矽塊,他們所服務的像小吸塵器吸了雜質,說:

 

“托尼奧Buonassasi ,麻省理工學院的一個團隊成員。

 

此外,許多電子應用- 包括太陽能電池-涉及到矽故意引入雜質,因此調查結果可以幫助研究人員控制在這些材料的化學相互作用。

 

結果剛剛在網上公佈 先進材料。

 

關於作者


詹姆斯達塞 記者是為 physicsworld.com

 

引用:http://physicsworld.com/cws/article/news/43399

 

 






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